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sic所具有的高导热性、高强度、热膨胀低、与炉渣难以反映等优良特性被作为炉渣反应和高温剥落-部位耐火材料的主要原料使用。

随着sic加入量的增加其抗渣性能有一定的提高。sic在高温下的氧化是sic质耐火材料损毁室温主要原因,根据热力学计算,sic在高温下氧化气氛下的不稳定是十分-的,然后它却可以在1600℃的氧化气氛下长期使用,着很大程度上是由于形成sio2保护膜的结果。



一般来说,碳化硅耐火材料具有多方面的优良性能,例如,在比较宽的温度范围内具有高的强度、高的抗热震性、优良的耐磨性能、高的热导率、耐化学腐蚀性等。不过,也应看到,它的弱点是能力差,由此而造成高温积胀大、变形等降低了使用寿命。

为了提高碳化硅耐火材料的性能,在结合剂方面做了不少的选择工作。使用粘土(包括氧化物)结合,但并未能起到保护作用,碳化硅颗粒仍然受到氧化和侵蚀。50年代末,选择用氮化硅(si3n4)结合,作为碳化硅耐火材料的改进产品,确实具有-的性(见图1),且无-的膨胀现象。但是价格较贵;加之在反复加热冷却时有突然破坏的可能;而氮化硅本身的网络结构带有渗透性,不能从-上保护碳化硅不被氧化。60年代初,又出现了用氧氮化硅(si2on2)结合的碳化硅耐火材料,比之氮化硅结合具有-的性能,因为氧氮化硅粘附于碳化硅表面的氧化硅薄膜,并与其反应形成和碳化硅牢固结合的连续保护膜。同时,这种材料的价格适当,相当于用氧化物结合的碳化硅材料。




     碳化硅陶瓷

 碳化硅陶瓷在石油、化工、微电子、汽车、航天、航空、造纸、激光、矿业及原子能等工业领域获得了广泛的应用。下面为大家来介绍一下碳化硅陶瓷的-导热性能。

  碳化硅陶瓷的-导热性能 陶瓷的优-能与其-结构密切相关。sic是共价键很强的化合物,sic中si-c键的离子性仅12%左右。因此,sic强度高、弹性模量大,具有优良的耐磨损性能。纯sic不会被hcl、hno3、h2so4和hf等酸溶液以及naoh等碱溶液侵蚀。在空气中加热时易发生氧化,但氧化时表面形成的sio2会抑制氧的进一步扩散,故氧化速率并不高。在电性能方面,sic具有半导体性,少量杂质的引入会表现出-的导电性。此外,sic还有优良的导热性。






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